|
林蘭英：赤誠愛國 芳留人間
林聞功
中國共產(chǎn)黨優(yōu)秀黨員、中國科學(xué)院著名的女院士林蘭英，于2003年3月4日與世長(zhǎng)辭，但她赤誠的愛國精神卻將永遠(yuǎn)芳留人間。
林蘭英1918年出生于莆田，1948年赴美國留學(xué)，她以優(yōu)異的成績(jī)獲獎(jiǎng)學(xué)金，完成學(xué)業(yè)。1949年新中國成立的喜訊傳到美國，她就想要為祖國做些貢獻(xiàn)。為此，她改變了學(xué)科，原攻讀數(shù)學(xué)，很快就可得到數(shù)學(xué)博士學(xué)位，但她毅然改為攻讀固體物理。這是當(dāng)時(shí)美國剛興起的學(xué)科，它使科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了處于半導(dǎo)電狀態(tài)的半導(dǎo)體，將給工業(yè)界帶來廣泛的應(yīng)用前景。她想新中國多么需要它呀！于是她從頭學(xué)起，并于1955年成為美國賓西法尼亞大學(xué)200年來第一位女博士。
當(dāng)年要在美國進(jìn)入一家真正能發(fā)揮自己專長(zhǎng)的公司也是十分不易的，但由于導(dǎo)師羅思先生推薦，她很快便得到索菲尼亞公司的聘書，聘為高級(jí)工程師，條件十分優(yōu)越。她使該公司拉出了第一根硅單晶，因而三次被加薪，另一家公司還開出更高聘價(jià)，要把她挖走。
但為了古老而年輕的祖國，她想歸去來兮了。她深知回國所面臨的科研條件將大大遜于美國，但決心一下，她毫不猶豫。當(dāng)她正式向索菲尼亞公司遞交辭呈時(shí)，老板簡(jiǎn)直驚呆了，他首先想到的是用高薪續(xù)聘誘惑她。但林蘭英明確表達(dá)回國的堅(jiān)定志向。她的決定一公開，朋友沒一個(gè)贊成的，有的教授甚至聲淚俱下地進(jìn)行勸說。美國聯(lián)邦調(diào)查局也軟硬兼施、千方百計(jì)要拴住這位中國才女的心，但最終也只好極不情愿地開具了準(zhǔn)予離美的手續(xù)。
1957年1月6日，在舊金山的候船室里，這是林蘭英離美返國的最后時(shí)刻。海關(guān)人員和5名聯(lián)邦調(diào)查局特工人員，對(duì)她的行李和人身進(jìn)行一次所謂例行檢查。特工人員竟以扣壓她的旅行支票，要挾她一定留在美國，但她憤怒抗議、堅(jiān)辭謝絕。
回國后，她成為我國半導(dǎo)體材料最著名的開拓者，為祖國作出了重大貢獻(xiàn)。她帶動(dòng)同事一起創(chuàng)造了多個(gè)“新中國的第一”：1957年研制成中國第一根鍺單晶，1958年研制成第一根硅單晶，……1987年利用衛(wèi)星拉制成太空砷化鎵單晶，居國際領(lǐng)先地位，受到全世界科學(xué)家關(guān)注，她贏得了“太空材料之母”的桂冠，為祖國贏得殊榮。中央電視臺(tái)“東方之子”欄目專題報(bào)道了她，報(bào)刊、電臺(tái)等也多次介紹她催人淚下的事跡和光照人寰的貢獻(xiàn)。她受到中央三代領(lǐng)導(dǎo)人的關(guān)懷和接見，受到海內(nèi)外華人包括莆田父老鄉(xiāng)親的厚愛和尊崇。
現(xiàn)在林蘭英院士走了，但她畢生獻(xiàn)身科學(xué)、一心為祖國振興而忘我拼搏的精神，卻將永遠(yuǎn)留在人民心中
編完緬懷林蘭英院士的這篇稿件，心里再一次受到了深深的震撼：在新中國建立初期，有一大批“術(shù)業(yè)有專攻”的科學(xué)家紛紛放棄在國外優(yōu)厚的生活和工作條件，沖破所在國人為設(shè)置的重重阻力，義無反顧地回歸祖國的懷抱，為建設(shè)社會(huì)主義祖國挑大梁、出大力、流大汗，在許多領(lǐng)域的“一張白紙”上留下了永不磨滅的濃彩重墨。
林蘭英院士是這些科學(xué)家的優(yōu)秀代表，是全市300萬人民的驕傲，也是全國人民的驕傲�。ㄔd《湄洲日?qǐng)?bào)》）
林蘭英院士
林蘭英，半導(dǎo)體材料學(xué)家。1918年生，福建莆田縣人。1940年畢業(yè)于協(xié)和大學(xué)，1955年獲美國賓州大學(xué)固體物理學(xué)博士學(xué)位。1957年回國后歷任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，副所長(zhǎng)，中國科協(xié)副主席，全國人大代表、常委，1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。
林蘭英從事半導(dǎo)體材料科學(xué)40余年，是中國半導(dǎo)體材料科學(xué)的奠基人和開拓者。她率先組織和領(lǐng)導(dǎo)了我國生長(zhǎng)硅單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶的研究，并首先獲得了上述半導(dǎo)體單晶。為在我國率先研究半導(dǎo)體集成電路和光電子器件的單位提供了多種半導(dǎo)體單晶材料，并向全國推廣上述單晶生長(zhǎng)技術(shù)和相應(yīng)的材料測(cè)試技術(shù)，為我國微電子學(xué)和光電子學(xué)的開創(chuàng)奠定了基礎(chǔ)。參與組織領(lǐng)導(dǎo)4千位16千位大規(guī)模集成電路-MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器的研制，1980、1982年兩次獲得中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。她指導(dǎo)的高純砷化鎵液相外延和氣相外延材料研究達(dá)到國際先進(jìn)水平，其中高純砷化鎵氣相外延研究至今仍然保持著采用鹵化系統(tǒng)的國際最高水平。1981年獲中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，1985年獲國家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。1987年首次在世界上在微重力條件下從熔體中生長(zhǎng)砷化鎵單晶獲得成功。以后又相繼四次在我國返回式衛(wèi)星上生長(zhǎng)生長(zhǎng)砷化鎵單晶，在空間晶體生長(zhǎng)、材料物理研究及器件應(yīng)用等方面取得了許多令世界同行矚目的科研成果。利用空間生長(zhǎng)的半絕緣砷化鎵制造的微波低噪聲場(chǎng)效應(yīng)晶體管和模擬開關(guān)集成電路的特性及優(yōu)質(zhì)品率顯著提高。
1989年獲中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，1990年獲國家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，1996年獲何梁何利科技進(jìn)步獎(jiǎng)，1998年獲霍英東成就獎(jiǎng)。
|
|
|
