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天津拉出6英寸無位錯區(qū)熔硅單晶
天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司12月中旬開發(fā)出最大直徑153毫米的區(qū)熔硅單晶，使中國硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)入國際先進(jìn)行列，使中國成為繼德國、日本之后，用區(qū)熔法生產(chǎn)最大直徑硅單晶的第三個國家。
該153毫米區(qū)熔硅單晶長度達(dá)到770毫米，重量為22.7千克，是目前中國國內(nèi)直徑最大、長度最長的同類產(chǎn)品。據(jù)悉，153毫米區(qū)熔硅單晶研制成功后，將很快進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化實施階段，及時開發(fā)生產(chǎn)硅單晶尖端技術(shù)和工藝軟件。
天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司運用高科技手段，先后于2002年5月分別拉制出直徑為76毫米(3英寸)、長度為2.2米和直徑為102毫米(4英寸)、長度為1.5米的區(qū)熔硅單晶。6月又拉制出國內(nèi)直徑最大的130毫米(5英寸)、長度為930毫米的區(qū)熔硅單晶后。
同時，該公司曾經(jīng)在生產(chǎn)中獨立開發(fā)出的同樣可以記入半導(dǎo)體材料制造領(lǐng)域史冊的，世界首創(chuàng)、具有獨立知識產(chǎn)權(quán)的直拉區(qū)熔法(CFZ)單晶硅生產(chǎn)技術(shù)，也于2002年10月獲得國家生產(chǎn)發(fā)明專利授權(quán)(專利號：001055186)。
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